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模拟集成电路工艺技术研究进展
作者姓名:付晓君
作者单位:集成电路与微系统全国重点实验室, 重庆 401332;中国电科芯片技术研究院, 重庆 401332
基金项目:国家自然科学基金资助项目(12105252);国防科技重点实验室稳定支持基金资助项目(JZJJXN20230004-11)
摘    要:集成电路工艺是芯片制造的关键技术,也是推动芯片性能提升的主要动力。模拟集成电路作为集成电路的重要组成部分,是电子系统与自然界模拟信息交换的桥梁,具有应用范围广、产品门类多、工艺耦合度高等特点,因此模拟集成电路工艺技术呈现了高压、高速、高精度或多样化的器件集成等特征,并结合不同产品需求、不同工艺特征进行综合折中形成独特的工艺发展路径。本文综述了模拟集成电路工艺技术的发展历程及研究进展,系统分析了业界主流的互补双极、BiCMOS、BCD及RF/混合信号 CMOS工艺的主要特征、技术水平与发展趋势,从而为模拟集成电路工艺选用和开发提供参考。

关 键 词:模拟集成电路   制造工艺   SiGe BiCMOS   BCD   RF CMOS
收稿时间:2024-06-14
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