| Ge/Pd/n-GaAs低阻欧姆接触的SIMS分析 |
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| 引用本文： | 陈维德,陈春华,谢小龙,段俐宏.Ge/Pd/n-GaAs低阻欧姆接触的SIMS分析[J].真空科学与技术学报,1996(4). |
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| 作者姓名： | 陈维德 陈春华 谢小龙 段俐宏 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体所和表面物理国家重点实验室!北京100083 |
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| 摘 要： | 采用Ge／Pd／GaAs结构和快速热退火在n－GaAs上形成了低阻欧姆接触。利用H次离子质谱（SIMS）技术揭示和讨论了低欧姆接触形成的机理。比较了采用X 和CsX 信号检测的Ge，Pd，Ga和As的深度分布。结果表明采用CSX 可以提供更准确的结果和成分信息。
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| 关 键 词： | 二次离子质谱 欧姆接触 快速退火 |
SIMS ANALYSIS OF Pd/Ge OHMIC CONTACTS TO n-TYPE GaAs |
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| Chen Weide, Chen Chunhua, Xie Xiaolong, Duan Lihong.SIMS ANALYSIS OF Pd/Ge OHMIC CONTACTS TO n-TYPE GaAs[J].JOurnal of Vacuum Science and Technology,1996(4). |
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| Authors: | Chen Weide Chen Chunhua Xie Xiaolong Duan Lihong |
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| Abstract: | A low resistance ohmic contact to n-GaAs is formed by using Ge/Pd/GaAs structure and the rapid thermal annealing(RTA). The structures of Ge/Pd/GaAs be fore and after annealing are analyzed with SIMS technique using a Cs probe. Comparison is made between the signals of X and CsX for monitoring the depth profiles of Ge,Pd,Ga and As. Ohmic contact formation mechanism is discussed. |
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| Keywords: | Secondary ion mass spectroscopy Ohmic contact Rapid thermal annealing |
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