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| 高密度垂直集成光电二极管焦平面列阵技术（下） | |
| 引用本文： | 顾聚兴.高密度垂直集成光电二极管焦平面列阵技术（下）[J].红外,2003(3):37-44. |
| 作者姓名： | 顾聚兴 |
| 作者单位： | |
| 摘 要： | 在p型材料中,俄歇复合包含两个空穴和一个电子,并且被称为俄歇7。对HgCdTe进行的计算表明,当0.2 |
| 关 键 词： | 高密度垂直集成光电二极管 焦平面列阵 暗电流 特点 |
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