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| SiC功率器件与电路中的栅介质技术 | |
| 引用本文： | 贾护军,杨银堂,李跃进,柴常春. SiC功率器件与电路中的栅介质技术[J]. 功能材料与器件学报, 2005, 11(3): 394-398 |
| 作者姓名： | 贾护军 杨银堂 李跃进 柴常春 |
| 作者单位： | 西安电子科技大学,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071;西安电子科技大学,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071;西安电子科技大学,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071;西安电子科技大学,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071 |
| 基金项目： | 教育部重点项目（No.J02074）;部委预研项目（No.41308060105） |
| 摘 要： | 目前，宽带隙半导体材料SiC在功率MOS器件与电路方面的巨大优势一直没有很好地体现出来，这主要是受到SiC衬底上栅介质绝缘层的质量及界面特性方面的限制。本文在总结比较国际该领域研究现状的基础上，分析了碳元素的存在对介质层质量和界面态密度的影响，指出通过低温沉积氧化层以获得良好的界面质量，并通过高k介质的引入以提高介质层可靠性是今后SiC功率器件与电路研制中比较理想的栅介质制备技术。 |
| 关 键 词： | 碳化硅 功率器件 界面态 复合栅介质 |
| 文章编号： | 1007-4252（2005）03-0394-05 |
| 收稿时间： | 2004-12-28 |
| 修稿时间： | 2005-03-21 |
Gate dielectric technology of SiC power devices and circuits |
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| JIA Hu-jun,YANG Yin-tang,LI Yue-jin,ChAI Chang-chun. Gate dielectric technology of SiC power devices and circuits[J]. Journal of Functional Materials and Devices, 2005, 11(3): 394-398 | |
| Authors: | JIA Hu-jun YANG Yin-tang LI Yue-jin ChAI Chang-chun |
| Abstract: | Due to the restriction of gate dielectrics quality and interface characteristics of insulators on SiC substrates, potential of the wide-band-gap semiconductor material in high-power application field has still not been realized. Major progresses on this research project are summarized, at the same time, affects of C atoms on the quality and interface state density in thermal SiO2/SiC system are discussed. A potential method for SiC MOS devices and circuits is proposed to improve the performance and reliability. |
| Keywords: | silicon carbide power device interface state gate stack |
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