| 紫外光截止镀膜玻璃的射频磁控溅射法制备及表征 |
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| 引用本文： | 赵青南,倪佳苗,张乃芝,赵修建,姜宏,王桂荣.紫外光截止镀膜玻璃的射频磁控溅射法制备及表征[J].稀有金属材料与工程,2006,35(1):142-145. |
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| 作者姓名： | 赵青南 倪佳苗 张乃芝 赵修建 姜宏 王桂荣 |
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| 作者单位： | 1. 武汉理工大学,硅酸盐材料工程教育部重点实验室,湖北,武汉,430070
2. 中国洛阳浮法玻璃集团有限公司,河南,洛阳,471009 |
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| 摘 要： | 制备了摩尔比为1：1的TiO2和CeO2陶瓷靶材。采用射频磁控溅射法在O2和Ar比例为5：95的混合气体中制备了玻璃基TiO2-CeO2薄膜。溅射过程中，工作气压保持在1．8Pa不变，玻璃基片温度从室温（RT）～220℃之间变化。用x射线衍射（XRD）、X射线光电子能谱（XPS）、扫描电镜（SEM）、透射电镜（TEM）和紫外-可见光谱仪研究了薄膜的物相结构、表面组成、表面形貌和镀膜试样的紫外-可见光透过率。结果表明，薄膜表面结构平滑、致密，呈微小晶粒结构，薄膜中Ti和Ce仅以Ti^4＋和Ce^4＋的形式存在；随着基片温度升高，薄膜中的细小晶粒略有长大；TiO2-CeO2镀膜玻璃可以有效地截止紫外线。
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| 关 键 词： | 射频溅射 玻璃基TiOx-CeO2薄膜 紫外光截止镀膜玻璃 基片温度 |
| 文章编号： | 1002-185X(2006)01-0142-04 |
| 收稿时间： | 2004-05-31 |
| 修稿时间： | 2005-02-20 |
Structure and UV-Shielding Properties of TiO2-CeO2 Films Deposited on Soda-Lime Silicate Glass Substrates by R.F. Magnetron Sputtering |
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| Zhao Qingnan,Ni Jiamiao,Zhang Naizhi,Zhao Xiujian,Jiang Hong,Wang Guirong.Structure and UV-Shielding Properties of TiO2-CeO2 Films Deposited on Soda-Lime Silicate Glass Substrates by R.F. Magnetron Sputtering[J].Rare Metal Materials and Engineering,2006,35(1):142-145. |
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| Authors: | Zhao Qingnan Ni Jiamiao Zhang Naizhi Zhao Xiujian Jiang Hong Wang Guirong |
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| Affiliation: | 1. Key Laboratory of Silicate Materials Science and Engineering, Ministry of Education, Wuhan University of Technology, Wuhan 430070, China; 2. China Luoyang Float Glass Group Co. Ltd., Luoyang 471009, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | R F sputtering TiO2-CeO2 films ultraviolet-shielding coating glass substrate temperature |
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