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| 18μm CMOS工艺条件下的信号完整性分析 | |
| 作者姓名： | 孙加兴 叶青 周玉梅 叶甜春 |
| 作者单位： | 中国科学院微电子中心,北京,100029 |
| 摘 要： | 通过模拟分析了0.18μm CMOS工艺条件下的信号完整性问题.在进行串扰延迟和噪声分析中发现了一些规律,这些规律对以后的设计有一定的指导意义. |
| 关 键 词： | 互连线延迟 信号完整性 串扰 噪声 |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ | |
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