| a-SiNxOy∶Er3+薄膜的光致发光 |
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| 引用本文： | 邓文渊,张家骅,马少杰,孔祥贵,宋宏伟,许武.a-SiNxOy∶Er3+薄膜的光致发光[J].半导体学报,2003,24(4). |
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| 作者姓名： | 邓文渊 张家骅 马少杰 孔祥贵 宋宏伟 许武 |
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| 作者单位： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,中国科学院激发态物理开放实验室,长春,130021 |
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| 摘 要： | 采用射频(RF)反应共溅射法制备了a-SiOxNy∶Er3+薄膜,在不同温度下进行退火处理,并测量了样品的可见及红外发光PL谱,观察到Er3+在550nm、525nm和1532nm的发光以及基质在620nm和720nm的发光.发现退火能明显增强Er3+的发光且对可见和红外发光的影响不同,讨论了退火明显增强Er3+发光及退火对可见和红外发光影响不同的机理.测量了Er3+可见发光的变温PL谱,讨论了退火对Er3+不同能级辐射跃迁几率的影响.根据基质发光随退火温度的变化,分析了基质发光峰的起源.
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| 关 键 词： | Er 氮氧化硅 光致发光 |
Phtoluminenscence from Er3+ Ions in a-SiNyOx Films |
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