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| 新颖的IGBT SPICE模型及非破坏参数提取和验证 | |
| 作者姓名： | 袁寿财 朱长纯 |
| 作者单位： | 西安交通大学,电子与信息学院,西安,710049 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金,高等学校博士学科点专项科研项目 |
| 摘 要： | 提出并优化了一种和现有SPICE软件如HSPICE完全兼容的IGBT等效电路模型.该模型摒弃了双极晶体管的所谓准静态假设而用精确的双极输运理论进行分析,更符合IGBT的实际工作条件.利用电压控制可变电阻模型等效IGBT的n-外延层的电导调制效应,取得了很好的效果.基于器件的非破坏实测参数以器件物理方程为基础的模型参数提取,计算依据正确,物理意义明确.用该模型计算了IGBT的I-V特性、开关特性等,与实测符合较好,误差不超过8%,此结果比已报道的同类模型要好,且更为简单方便. |
| 关 键 词： | 绝缘栅双极晶体管 等效电路 模拟 SPICE器件模型 参数提取 |
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