| 一种新型结构的光电负阻器件 |
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| 引用本文： | 李丹,李树荣,夏克军,郭维廉,郑云光.一种新型结构的光电负阻器件[J].半导体学报,2003,24(10). |
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| 作者姓名： | 李丹 李树荣 夏克军 郭维廉 郑云光 |
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| 作者单位： | 天津大学电子信息工程学院,天津,300072 |
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| 摘 要： | 提出了一种新型结构的硅光电负阻器件--光电双耦合区晶体管(photoelectric dual coupled area transistor,PDUCAT),它是由一个P+N结光电二极管和位于两侧的两个纵向NPN管构成的.由于两个NPN管到光电二极管的距离不同,使得它们对光生空穴电流的争抢能力随外加电压的变化产生差异,同时两个NPN管电流放大系数相差较大,最终导致器件负阻现象的出现.文中对PDUCAT进行了工艺模拟和器件模拟,围绕着负阻的形成机理和影响器件性能的主要参数进行了讨论,初步建立了器件模型.
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| 关 键 词： | 光电器件 负阻 模拟 晶体管 |
A Novel Silicon Photoelectric Negative Resistance Device |
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