| 全耗尽CMOS/SOI工艺 |
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| 引用本文： | 刘新宇,孙海峰,刘洪民,陈焕章,扈焕章,海潮和,和致经,吴德馨.全耗尽CMOS/SOI工艺[J].半导体学报,2003,24(1). |
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| 作者姓名： | 刘新宇 孙海峰 刘洪民 陈焕章 扈焕章 海潮和 和致经 吴德馨 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院微电子中心,北京,100029
2. 中国科学院半导体研究所,北京,100083 |
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| 摘 要： | 对全耗尽CMOS/SOI工艺进行了研究,成功地开发出成套全耗尽 CMOS/SOI抗辐照工艺.其关键工艺技术包括:氮化H2-O2合成薄栅氧、双栅和注Ge硅化物等技术.经过工艺投片,获得性能良好的抗辐照CMOS/SOI器件和电路(包括101级环振、2000门门海阵列等),其中,nMOS:Vt=0.7V,Vds=4.5～5.2V,μeff=465cm2/(V*s),pMOS:Vt=-0.8V,Vds=-5～-6.3V,μeff=264cm2/(V*s).当工作电压为5V时,0.8μm环振单级延迟为45ps.
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| 关 键 词： | 全耗尽CMOS/SOI工艺 氮化H2-O2合成薄栅氧 双栅 注Ge硅化物 |
Fully Depleted CMOS/SOI Technology |
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