| 大直径直拉硅中氮对原生氧沉淀的影响 |
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| 引用本文： | 余学功,杨德仁,杨建松,马向阳,李立本,阙端麟.大直径直拉硅中氮对原生氧沉淀的影响[J].半导体学报,2003,24(1). |
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| 作者姓名： | 余学功 杨德仁 杨建松 马向阳 李立本 阙端麟 |
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| 作者单位： | 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027 |
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| 摘 要： | 研究了在大直径直拉硅单晶中掺氮(N)对原生氧沉淀的影响.通过高温一步退火(1050℃)和低-高温两步退火(800℃+1050℃)发现在掺N直拉(NCZ)硅中氧沉淀的行为与一般直拉(CZ)硅是大不相同的,经过高温一步退火后,在氧化诱生层错环(OSF-ring)区氧沉淀的量要小于空洞型缺陷(voids)区,而经过低-高温两步退火后,OSF-ring区的氧沉淀量要远远大于voids区.由此可得,在晶体生长过程中,N通过改变硅晶体中空位的浓度及其分布从而改变原生氧沉淀的尺寸和分布.并在此基础上讨论了在大直径NCZ硅中掺N影响原生氧沉淀的机理.
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| 关 键 词： | 掺氮 直拉硅 原生氧沉淀 |
Effects of Nitrogen on Grown-in Oxygen Precipitates in Large Diameter Czochralski Silicon |
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