| 额外HCl和氮化对HVPE GaN生长的影响 |
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| 引用本文： | 修向前,张荣,李杰,卢佃清,毕朝霞,叶宇达,俞慧强,郑有炓.额外HCl和氮化对HVPE GaN生长的影响[J].半导体学报,2003,24(11). |
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| 作者姓名： | 修向前 张荣 李杰 卢佃清 毕朝霞 叶宇达 俞慧强 郑有炓 |
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| 作者单位： | 南京大学物理系,南京,210093 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)，国家高技术研究发展计划(863计划)，国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 在氢化物气相外延(HVPE)生长GaN过程中,发现了一种在成核阶段向生长区添加额外HCl来改善GaN外延薄膜质量的方法,并且讨论了额外HCl和氮化对GaN形貌和质量的影响.两种方法都可以大幅度地改善GaN的晶体质量和性质,但机理不同.氮化是通过在衬底表面形成AlN小岛,促进了衬底表面的成核和薄膜的融合;而添加额外HCl则被认为是通过改变生长表面的过饱和度引起快速成核从而促进薄膜的生长而改善晶体质量和性质的.
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| 关 键 词： | 氢化物气相外延(HVPE) GaN 氮化 额外HCl |
Effect of Additional HCl and Substrate Nitridation on GaN Films Grown by HVPE |
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