| 面向对注氢硅片中微结构的影响 |
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| 引用本文： | 肖清华,屠海令,王敬,周旗钢,张果虎.面向对注氢硅片中微结构的影响[J].半导体学报,2003,24(12). |
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| 作者姓名： | 肖清华 屠海令 王敬 周旗钢 张果虎 |
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| 作者单位： | 北京有色金属研究总院,半导体材料国家工程研究中心,北京,100088 |
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| 摘 要： | 把不同面向的注氢硅片制成横截面样品,在高分辨率透射电子显微镜下进行观察,发现衬底面向对其中的微结构有明显的影响.首先表现为衬底中主要出现平行于正表面的氢致片状缺陷,即(100)衬底中,主要出现平行于正表面的{100}片状缺陷,而(111)衬底中出现的主要是平行于正表面的{111}片状缺陷.其原因是注入引起垂直正表面的张应变.另外,面向的影响还表现为,(100)衬底中出现的{113}缺陷在(111)衬底中不出现.在(111)衬底中出现的晶格紊乱团和空洞在(100)衬底中不出现.从而推测,{111}片状缺陷的形成不发射自间隙原子,而(100)片状缺陷的形成将发射自间隙原子.
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| 关 键 词： | 硅 面向 氢 离子注入 氢致缺陷 |
Effect of Substrate Orientation on Microstructure of Hydrogen-Implanted Silicon Wafers |
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