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| 使用纳米硅薄膜技术改进现有硅器件的性能 | |
| 引用本文： | 何宇亮,施毅.使用纳米硅薄膜技术改进现有硅器件的性能[J].半导体学报,2003,24(Z1). |
| 作者姓名： | 何宇亮 施毅 |
| 作者单位： | 1. 南京大学物理系,南京,210093;江苏省纳米材料与器件技术中心,无锡,214028 2. 南京大学物理系,南京,210093 |
| 摘 要： | 使用PECVD薄膜沉积技术制成的具有新结构特征的纳米硅薄膜(nc-Si∶H)拥有一系列物性.以纳米硅膜为母体研制成异质结二极管,发现它具有一系列优于单晶硅二极管的独特性能.探讨了使用纳米硅薄膜制造的其它硅器件的可能性,如肖特基器件、TFT晶体管等. |
| 关 键 词： | 纳米硅薄膜 二极管 硅器件 |
Improving Characters of Silicon Devices Using by nc-Si∶H Films |
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