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| AlGaN/GaN HEMT器件的研制 | |
| 引用本文： | 张小玲,吕长治,谢雪松,李志国,曹春海,李拂晓,陈堂胜,陈效建. AlGaN/GaN HEMT器件的研制[J]. 半导体学报, 2003, 24(8) |
| 作者姓名： | 张小玲 吕长治 谢雪松 李志国 曹春海 李拂晓 陈堂胜 陈效建 |
| 作者单位： | 1. 北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京,100022 2. 南京固体器件研究所,南京,210016 |
| 摘 要： | 介绍了AlGaN/GaN HEMT器件的研制及室温下器件特性的测试.漏源欧姆接触采用Ti/Al/Pt/Au,肖特基结金属为Pt/Au.器件栅长为1μm,获得的最大跨导为120mS/mm,最大的漏源饱和电流密度为0.95A/mm. |
| 关 键 词： | AlGaN/GaN HEMT 输出特性 |
Research on AlGaN/GaN HEMT |
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