首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

一种紧缩型的SOI 3-dB多模干涉耦合器
引用本文:严清峰,余金中,刘忠立.一种紧缩型的SOI 3-dB多模干涉耦合器[J].半导体学报,2003,24(2).
作者姓名:严清峰  余金中  刘忠立
作者单位:1. 中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点实验室,北京,100083
2. 中国科学院半导体研究所,微电子中心,北京,100083
基金项目:国家自然科学基金,国家重点基础研究发展计划(973计划)
摘    要:采用线锥形结构,在silicon-on-insulator (SOI)材料上设计并实现了一种新的紧缩型3-dB多模干涉耦合器(MMI).与普通的矩形结构3-dB MMI耦合器相比,该器件长度减少了40%.耦合器输出均衡度为1.3dB,过剩损耗为2.5dB.

关 键 词:多模干涉耦合器  线锥形波导  SOI

Design and Fabrication of Ultracompact 3-dB MMI Coupler in Silicon-on-Insulator
Yan Qingfeng,Yu Jinzhong,Liu Zhongli.Design and Fabrication of Ultracompact 3-dB MMI Coupler in Silicon-on-Insulator[J].Chinese Journal of Semiconductors,2003,24(2).
Authors:Yan Qingfeng  Yu Jinzhong  Liu Zhongli
Abstract:An ultracompact 3-dB coupler is designed and fabricated in silicon-on-insulator,based on 1×2 line tapered multimode interference (MMI) coupler.Comparing with the conventional straight MMI coupler,the device is ~40% shorter in length.The device exhibits uniformity of 1.3dB and excess loss of 2.5dB.
Keywords:multimode interference coupler  line tapered waveguide  silicon-on-insulator
本文献已被 万方数据 等数据库收录!
点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息
点击此处可从《半导体学报》下载全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号