|
|||||
|
|
| 超低亚表面损伤层GaAs抛光晶片的工艺 | |
| 引用本文： | 卜俊鹏,郑红军,赵冀,朱蓉辉,尹玉华.超低亚表面损伤层GaAs抛光晶片的工艺[J].半导体学报,2003,24(4). |
| 作者姓名： | 卜俊鹏 郑红军 赵冀 朱蓉辉 尹玉华 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,北京,100083 |
| 摘 要： | 在不同弹性抛光布、不同氧化浓度、不同pH值的抛光液等条件下进行了化学机械抛光试验,并用TEM测量了晶片亚表面损伤层厚度.研究发现抛光布的弹性及抛光液的氧化和化学去除能力决定了GaAs抛光晶片的亚表面损伤层深度,并分析和讨论了其原因. |
| 关 键 词： | GaAs 抛光 亚表面损伤层 |
Polishing of Super-Low Sub-Surface Damage of GaAs Wafer |
|
| Abstract: | |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《半导体学报》下载全文 | |