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| 亚100nm多栅MOSFET的三维模拟 | |
| 引用本文： | 夏志良,刘晓彦,刘恩峰,韩汝琦.亚100nm多栅MOSFET的三维模拟[J].半导体学报,2003,24(Z1). |
| 作者姓名： | 夏志良 刘晓彦 刘恩峰 韩汝琦 |
| 作者单位： | 北京大学微电子所,北京,100871 |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
| 摘 要： | 使用三维模拟软件对具有FINFET的多栅结构(主要是双栅和三栅)进行了模拟.对比了双栅和三栅的I-V特性.发现三栅的特性要优于双栅;减小FIN宽度(即两个侧栅之间的距离),双栅和三栅结构特性之间的差距变小. |
| 关 键 词： | 双栅MOSFET 阈值电压 FINFET 三维模拟 短沟效应 |
3D Simulation of Mutil-Gate MOSFET with Sub-100nm |
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| Abstract: | |
| Keywords: | |
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