| 热氧化法钝化硅片的少数载流子寿命 |
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| 引用本文： | 崔灿,杨德仁,余学功,马向阳,李立本,阙端麟.热氧化法钝化硅片的少数载流子寿命[J].半导体学报,2003,24(1). |
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| 作者姓名： | 崔灿 杨德仁 余学功 马向阳 李立本 阙端麟 |
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| 作者单位： | 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027 |
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| 摘 要： | 用高频光电导衰减法(PCD)研究了热氧化钝化对直拉硅少子寿命的影响.在700～1100℃范围热氧化不同时间(0.5～4h)对直拉硅片表面进行钝化,实验结果表明,在1000℃下热氧化对硅片表面钝化的效果最好;而且发现热氧化1.5h后硅片的少子寿命值达到最大值,接近于其真实值,而随着热氧化时间的延长(＞1.5h)少子寿命将会降低,这是由于直拉硅中过饱和的氧会沉淀下来形成氧沉淀,成为新的少子复合中心.
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| 关 键 词： | 直拉硅 少子寿命 钝化 氧沉淀 |
Minority Carrier Lifetime of Thermal Oxide Passivated CZ Si Wafers |
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