| 氨化硅基Ga2O3／Al2O3制备GaN薄膜性质研究 |
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| 引用本文： | 魏芹芹,薛成山,孙振翠,庄惠照,王书运.氨化硅基Ga2O3／Al2O3制备GaN薄膜性质研究[J].稀有金属材料与工程,2005,34(5):746-749. |
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| 作者姓名： | 魏芹芹 薛成山 孙振翠 庄惠照 王书运 |
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| 作者单位： | 山东师范大学,山东,济南,250014 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金重大研究计划(90201025)和国家自然科学基金(60071006)资助项目 |
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| 摘 要： | 研究了Ga2O3／Al2O3膜反应自组装制备GaN薄膜。首先利用磁控溅射法在硅衬底上制备Ga2O3／Al2O3膜，再将Ga2O3／Al2O3膜在高纯氨气气氛中氨化反应得到GaN薄膜。用傅里叶红外谱仪(FTIR)，X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)对试样进行结构、组分和形貌分析。通过分析薄膜各方面的性质，得出了用此方法制备氮化镓薄膜的Al2O3缓冲层最佳的厚度为15nm左右，最佳氨化条件是在900℃下氨化15min。
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| 关 键 词： | GaN Ga2O3／Al2O3膜 氨化 磁控溅射 |
| 文章编号： | 1002-185(2005)05-0746-04 |
| 修稿时间： | 2003年11月4日 |
Characteristics of GaN Film Prepared by Ammoniating Ga2O3/Al2O3 Deposited on Si(111) Substrate |
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| Wei Qinqin,Xue Chengshan,Sun Zhencui,Zhuang Huizhao,Wang Shuyun.Characteristics of GaN Film Prepared by Ammoniating Ga2O3/Al2O3 Deposited on Si(111) Substrate[J].Rare Metal Materials and Engineering,2005,34(5):746-749. |
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| Authors: | Wei Qinqin Xue Chengshan Sun Zhencui Zhuang Huizhao Wang Shuyun |
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| Keywords: | GaN Ga_2O_3/Al_2O_3 film ammoniating magnetron sputtering |
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