| 烧结温度对制备羟基磷灰石陶瓷粉体的影响 |
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| 引用本文： | 孙青竹.烧结温度对制备羟基磷灰石陶瓷粉体的影响[J].中国陶瓷,2013(2):42-45. |
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| 作者姓名： | 孙青竹 |
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| 作者单位： | 攀枝花学院材料工程学院 |
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| 摘 要： | 以化学沉淀法制备羟基磷灰石(HA)粉体,研究了烧结温度对羟基磷灰石晶化程度及粒子尺寸的影响。采用x射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、激光粒度仪等对HA粒子的晶化程度、形貌及尺寸进行表征。结果表明:HA理想的晶化温度在900℃左右,HA敏感的烧结温度区间在1000～1100℃。
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| 关 键 词： | 羟基磷灰石(HA) 烧结 化学沉淀法 晶化 形貌 |
THE EFFECTS OF SINTERING TEMPERATURE ON THE PREPARATION OF HA CERAMIC POWDER |
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| Sun Qingzhu.THE EFFECTS OF SINTERING TEMPERATURE ON THE PREPARATION OF HA CERAMIC POWDER[J].China Ceramics,2013(2):42-45. |
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| Authors: | Sun Qingzhu |
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| Affiliation: | Sun Qingzhu(Panzhihua college,Materials Engineering Department,Panzhihua 617000) |
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| Abstract: | |
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