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| 基于45 nm SOI工艺的超宽带毫米波单刀双掷开关的设计北大核心CSCD | |
| 作者姓名： | 韦俞鸿 黄冰 孙晓玮 张润曦 张健 |
| 作者单位： | 1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所中科院太赫兹固态技术重点实验室200050;2.中国科学院大学100049;3.华东师范大学微电子电路与系统研究所200062;4.杭州电子科技大学310018; |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61731021)；2016GlobalFoundries大学合作项目 |
| 摘 要： | 提出了基于GlobalFoundries 45nm SOI工艺的布局紧凑的宽带毫米波单刀双掷开关。设计包括了采用串并结构的全频段单刀双掷开关以及采用两级晶体管并联的Ka波段通带单刀双掷开关。设计中采用共面波导串联短截线,实现小尺寸的电感。此外,利用负体偏置技术提高了开关在毫米波波段的性能。设计的单刀双掷开关芯片核心面积为0.35mm×0.16mm。测量结果显示全频段单刀双掷开关在DC^94GHz的插入损耗小于4dB,隔离度大于24dB,而Ka波段通带单刀双掷开关在25~45GHz的插入损耗为2.5~3.2dB,隔离度大于19dB。 |
| 关 键 词： | 单刀双掷开关 超宽带 45nm绝缘体上硅 负体偏置 |
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