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| ~（60）CO－γ辐照感生Si／SiO_2慢界面态及其对高频C－V测试的影响 | |
| 引用本文： | 高文钰,严荣良,任迪远.~（60）CO－γ辐照感生Si／SiO_2慢界面态及其对高频C－V测试的影响[J].半导体学报,1995,16(12):909-912. |
| 作者姓名： | 高文钰 严荣良 任迪远 |
| 作者单位： | 中国科学院新疆物理研究所 |
| 摘 要： | 研究了γ辐照感生Ｓｉ／ＳｉＯ２慢界面态的特性及其对高频Ｃ－Ｖ测试的影响．结果表明，辐照产生的慢界面态为界面态的０．３—０．８，分布在Ｓｉ禁带中央以上的能级或呈现受主型．分析认为慢界面态对应的的微观缺陷很可能是Ｓｉ—Ｏ断键或弱键．慢界面态的产生还引起Ｃ－Ｖ曲线同测试速率、方向和扫描前保持时间有关．文中提出了如何通过高频Ｃ－Ｖ测量比较准确地计算辐照感生氧化物正电荷、界面态和慢界面态密度的方法． |
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