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多孔硅新的表面处理技术
引用本文:虞献文,陈燕艳,应桃开,程存归,郁可,朱自强. 多孔硅新的表面处理技术[J]. 半导体学报, 2005, 26(2): 406-409
作者姓名:虞献文  陈燕艳  应桃开  程存归  郁可  朱自强
作者单位:浙江师范大学数理学院 金华321004(虞献文),浙江师范大学信息科学与工程学院 金华321004(陈燕艳),浙江师范大学化学与生命科学学院 金华321004(应桃开,程存归),山东大学物理学院 济南250100(郁可),华东师范大学信息与技术学院 上海200062(朱自强)
基金项目:国家自然科学基金 , 上海市科技发展基金
摘    要:对多孔硅施加阳极氧化表面处理技术,可有效解决多孔硅干燥时出现龟裂及坍塌,破坏原有多孔硅的形貌和本质的问题.阳极氧化表面处理技术就是使用少量的负离子作用于多孔硅表面,满足SI分子化合价的需要,消除悬空键,促使多孔硅表面性能稳定,避免结构重组产生分子间的不均匀内应力,从而获得性能稳定、可靠、在空气中可以长期干燥保存的多孔硅.

关 键 词:阴极还原  阳极氧化  表面处理技术  厚膜  多孔硅  表面处理技术  Porous Silicon  Technique  干燥保存  空气  表面性能  内应力  均匀  分子间  结构重组  稳定  悬空键  化合价  硅表面  离子作用  使用  问题  破坏  坍塌
文章编号:0253-4177(2005)02-0406-04
修稿时间:2004-02-23

New Surface Treatment Technique of Porous Silicon
Yu Xianwen,Chen Yanyan,Ying Taokai,Cheng Cungui,Yu Ke,Zhu Ziqiang. New Surface Treatment Technique of Porous Silicon[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 26(2): 406-409
Authors:Yu Xianwen  Chen Yanyan  Ying Taokai  Cheng Cungui  Yu Ke  Zhu Ziqiang
Abstract:Using the anode oxidation surface treatment technique on PS introduced can efficiently avoid the PS to crack,shrink or collapse during the natural drying process. The anode oxidation surface treatment means to use a few negative ions to effect the PS surface,to clear up dangling bonds and to satisfy the chemical valence of Si molecules,so as to avoid the asymmetry inner stress between the molecules caused by restructure and to make the PS surface performance stable.Thus the PS with steady performance which can exist in the air for a long time can be prepared.
Keywords:cathode deoxidization  anodic oxidation  surface treatment technique  porous silicon
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