| DC～40 GHz反射型GaAs MMIC SPST开关 |
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| 引用本文： | 方园,李富强,高学邦,吴洪江,魏洪涛,刘文杰.DC～40 GHz反射型GaAs MMIC SPST开关[J].半导体技术,2008,33(12). |
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| 作者姓名： | 方园 李富强 高学邦 吴洪江 魏洪涛 刘文杰 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司,第十三研究所,石家庄,050051;中国电子科技集团公司,第十三研究所,石家庄,050051;中国电子科技集团公司,第十三研究所,石家庄,050051;中国电子科技集团公司,第十三研究所,石家庄,050051;中国电子科技集团公司,第十三研究所,石家庄,050051;中国电子科技集团公司,第十三研究所,石家庄,050051 |
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| 基金项目： | 国防科技重点实验室基金
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| 摘 要： | 介绍了基于GaAs PHEMT工艺设计的一款宽带反射型MMIC SPST开关的相关技术,基于成熟的微波单片集成电路设计平台开展了宽带SPST开关设计.工作频率范围为DC～40 GHz,插入损耗≤0.8 dB,隔离度≥25 dB,驻波比≤1.4:1.同时,对电路的通孔特性进行了分析,对电路设计流程进行了阐述.要获得期望带宽的开关,如何选择控制器件的通孔连接方式,以及通孔数量对插入损耗等性能的影响.最终,具有小尺寸和优异微波性能的GaAs微波单片集成单刀单掷开关电路成功开发.
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| 关 键 词： | 宽带 低插入损耗 GaAs微波单片集成电路 单刀单掷开关 |
DC to 40 GHz Reflective GaAs MMIC SPST Switch |
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| Fang Yuan,Li Fuqiang,Gao Xuebang,Wu Hongjiang,Wei Hongtao,Liu Wenjie.DC to 40 GHz Reflective GaAs MMIC SPST Switch[J].Semiconductor Technology,2008,33(12). |
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| Authors: | Fang Yuan Li Fuqiang Gao Xuebang Wu Hongjiang Wei Hongtao Liu Wenjie |
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| Affiliation: | Fang Yuan,Li Fuqiang,Gao Xuebang,Wu Hongjiang,Wei Hongtao,Liu Wenjie (The 13th Research Institute,CETC,Shijiazhuang 050051,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | broadband low insertion loss GaAs MMIC SPST switch |
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