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| 非易失磁性RAM的开发 | |
| 摘 要： | Ｕｔａｈ大学的研究人员宣布在非易失性ＲＡＭ方面的研究有重大突破。研究人员根据同Ｐａｇｅａｎｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ公司的协议，发展了一种能在将来低成本、大批量地生产高密度存储器和电路的磁场传感器。Ｄｅｇｅａｎｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ 公司是国际Ａｖａｎｔｉｃｏｒｐ公司的子公司。命名为ＭＡＧＲＡＭ的存储单元（磁性ＲＡＭ）利用磁场存储数据。同普通ＲＡＭ相似．ＭＡＧＲＡＭ能快速、随机存取储存在它内部的信息。但同传统ＲＡＭ不一样的是，ＭＡＧＲＡＭ存储单元是非易失性的。该项技术可降低手持式设备的功… |
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