| 栅氧化层TDDB可靠性评价试验及模型参数提取 |
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| 引用本文： | 恩云飞,孔学东,徐征,赵文斌.栅氧化层TDDB可靠性评价试验及模型参数提取[J].电子产品可靠性与环境试验,2002(1):1-4. |
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| 作者姓名： | 恩云飞 孔学东 徐征 赵文斌 |
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| 作者单位： | 1. 信息产业部电子第五研究所,广东,广州,510610
2. 无锡微电子科研中心,江苏,无锡,214035 |
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| 摘 要： | 采用恒定电压和恒定电流试验方法对20nm栅氧化层进行了TDDB可靠性评价试验，并完成了1／E模型参数提取，给出了恒定电流应力下描述氧化层TDDB退化的统计模型，较好地解释了试验结果。
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| 关 键 词： | 栅氧化层 可靠性评价 模型 参数提取 CMOS 集成电路 |
| 修稿时间： | 2002年12月10 |
TDDB Test and Parameter Extraction of Gate Oxides |
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| EN Yun-fei,KONG Xue- dong,XU Zheng,ZHAO Wen- bin.TDDB Test and Parameter Extraction of Gate Oxides[J].Electronic Product Reliability and Environmental Testing,2002(1):1-4. |
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| Authors: | EN Yun-fei KONG Xue- dong XU Zheng ZHAO Wen- bin |
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| Abstract: | Constant voltage and constant current TDDB tests have been done on 2Onm gate oxides. Constant voltage 1 /E model parameter is extracted from test datum: Statistic model used for describing gate oxides TDDB degradation under constant current stress is given. Using this model test results can be explained very well. |
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| Keywords: | gate oxides reliability evaluation model parameter extraction |
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