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| 等离子氨化硅应力的研究 | |
| 引用本文： | 俞诚.等离子氨化硅应力的研究[J].半导体技术,1996(3). |
| 作者姓名： | 俞诚 |
| 作者单位： | 电子工业部中国华晶电子集团公司 |
| 摘 要： | 氮化硅的应力严重制约着它的应用，但常见资料对氨化硅应力的分析颇略。本文较详细地介绍了ＰＥＣＶＤＳｉｘＮｙ，薄膜应力大小与制备工艺的关系，从而揭示了能有效地抑制ＳｉｘＮｙ应力的工艺途径。文中给出了大量数据，对许多实际问题进行了讨论。 |
| 关 键 词： | 等离子氮化硅，薄膜，应力，制备工艺 |
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