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选择性掺杂异质结晶体管

作者姓名：	魏策军尹晓明邵全远陈振荣

作者单位：	中国科学院半导体研究所(魏策军，尹晓明，邵全远)，中国科学院半导体研究所(陈振荣)

摘要：	利用国产MBE系统外延生长的调制掺杂材料,试制出选择性掺杂晶体管或高电子迁移率晶体管(HEMT)。准增强型器件的跨导为60～90mS/mm。有些器件发现有负阻,跨导达190mS/mm。
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