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简立方晶体(001)晶面生长的蒙特卡罗模拟
引用本文:李明伟,程旻,付东,李哲,朱廷霞.简立方晶体(001)晶面生长的蒙特卡罗模拟[J].功能材料,2008,39(9).
作者姓名:李明伟  程旻  付东  李哲  朱廷霞
作者单位:重庆大学,动力工程学院,重庆,400030
基金项目:国家自然科学基金,教育部跨世纪优秀人才培养计划
摘    要:通过对简立方晶体(001)晶面生长的蒙特卡罗模拟,获得了不同晶体表面热粗糙度,不同过饱和度,不同平均扩散距离以及不同表面尺寸下晶体生长速率;同时,应用舍维数法,计算了表面分形维数;并对表面形貌及描述表面特性的相关参量作了分析.结果表明,法向生长模式和二维核生长模式,包括单核和多核生长模式,都可能出现,其主要取决于热粗糙度和过饱和度的大小.晶体生长速率与表面的微观特性紧密相关,如扭折、台阶、台面和吸附基元的百分比.

关 键 词:晶体生长  蒙特卡罗模拟  表面形貌  分形维数

Monte Carlo simulation of growth of the(001)face for a simple cubic crystal
LI Ming-wei,CHENG Min,FU Dong,LI Zhe,ZHU Ting-xia.Monte Carlo simulation of growth of the(001)face for a simple cubic crystal[J].Journal of Functional Materials,2008,39(9).
Authors:LI Ming-wei  CHENG Min  FU Dong  LI Zhe  ZHU Ting-xia
Abstract:
Keywords:
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