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硅尖阵列-敏感薄膜复合型阴极真空微电子压力传感器特性的测试
引用本文:陈绍凤,夏善红.硅尖阵列-敏感薄膜复合型阴极真空微电子压力传感器特性的测试[J].液晶与显示,2002,17(1):34-38.
作者姓名:陈绍凤  夏善红
作者单位:中国科学院,电子学研究所,传感技术国家重点实验室,北京,100080
基金项目:国家自然科学基金资助项目 ( 6 9871 0 2 9),“86 3”计划资助项目 ( 5 1 2 0 5 1 0 0 1 9),“973”国家重大课题资助项目 (G1 9990 331 0 2 )
摘    要:封装、测试了硅尖阵列-敏感薄膜复合型阴极的真空微电子压力传感器,在计算机模拟计算的基础上,对封装好的真空微电子压力传感器进行了实物测试,得出实物测试场发射电流曲线(开启电压低,发射电流曲线与计算机模拟曲线一样,电压45V时发射电流可达到86mA,平均每个硅尖为21μA)、压力特性曲线(呈线性变化,与计算机模拟计算的曲线相近)及灵敏度数据。电压1.5V即可测试并且其压力特性成线性变化,灵敏度为0.3μA/kPa。

关 键 词:真空微电子压力传感器  压力特性  测试  硅尖阵列-敏感薄膜复合型阴极  计算机模拟
文章编号:1007-2780(2002)01-0034-05
修稿时间:2001年8月26日

Testing for the Characteristic of Vacuum Microelectronic Silicon Tip Array-sensitive Thin Film Compounded Cathode Pressure Sensor
CHEN Shao-feng,XIA Shan-hong.Testing for the Characteristic of Vacuum Microelectronic Silicon Tip Array-sensitive Thin Film Compounded Cathode Pressure Sensor[J].Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays,2002,17(1):34-38.
Authors:CHEN Shao-feng  XIA Shan-hong
Abstract:
Keywords:vaccum microelectronic  pressure sensor  simulative testing  pressure feature  testing
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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