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| SAW器件用的L_1TaO_3单晶的生长 | |
| 作者姓名： | T.FUKUDA 彭雪松 |
| 作者单位： | 东京芝浦电器公司 |
| 摘 要： | 用提拉技术并用经济的Pt-Rh坩埚代替高价的Ir坩埚能成功地生长了直径2.5—3.0吋长约4—5吋的大的“SAW级”LiTaO_3单晶.由于坩埚中的Rh杂质使生长的晶体呈深褐色到浅黄色.测定了光吸收、Rh杂质浓度和生长状态之间的共系并进行了讨论,并与Ir坩埚生长的晶体作了比较.从组分变化、SAW特性的再显性、器件制作的适用性等方面断定生长大晶体比较经济,这种晶体的质量可满足SAW器件的应用 |
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