| 在复合衬底γ-Al2O3/Si(001)上生长GaN |
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| 引用本文： | 刘喆,王军喜,李晋闽,刘宏新,王启元,王俊,张南红,肖红领,王晓亮,曾一平.在复合衬底γ-Al2O3/Si(001)上生长GaN[J].半导体学报,2005,26(12). |
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| 作者姓名： | 刘喆 王军喜 李晋闽 刘宏新 王启元 王俊 张南红 肖红领 王晓亮 曾一平 |
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| 基金项目： | 中国科学院知识创新工程项目
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中国科学院资助项目
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科技部科研项目
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国家科技攻关项目 |
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| 摘 要： | 采用分子束外延(MBE)生长方法,使用γ-Al2O3材料作为新型过渡层,在Si(∞1)衬底上获得了没有裂纹的GaN外延层,实验结果表明使用γ-Al2O3过渡层有效地缓解了外延层中的应力.通过生长并测试分析几种不同结构的外延材料,研究了复合衬底γ-Al2O3/Si(001)生长GaN情况,得到了六方相GaN单晶材料,实现了GaN c面生长.预铺薄层Al及高温AlN层可以提高GaN晶体质量,低温AlN缓冲层可以改善GaN表面的粗糙度.为解决Si(001)衬底上GaN的生长问题提供了有益的探索.
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| 关 键 词： | GaN MBE γ-Al2O3 缓冲层 复合衬底 生长 Growth Substrates 问题 粗糙度 表面 改善 缓冲层 低温 晶体质量 高温 薄层 预铺 单晶材料 六方相 情况 研究 外延材料 结构 |
Growth of GaN on γ-Al2O3/Si(001) Composite Substrates |
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| Liu Zhe,Wang Junxi,LiJinmin,Liu Hongxin,Wang Qiyuan,Wang Jun,Zhang Nanhong,Xiao Hongling,Wang Xiaoliang,Zeng Yiping.Growth of GaN on γ-Al2O3/Si(001) Composite Substrates[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(12). |
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| Authors: | Liu Zhe Wang Junxi LiJinmin Liu Hongxin Wang Qiyuan Wang Jun Zhang Nanhong Xiao Hongling Wang Xiaoliang Zeng Yiping |
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