| 反应离子深刻蚀中硅/玻璃结构footing效应的实验研究 |
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| 作者姓名： | 丁海涛 杨振川 张美丽 闫桂珍 |
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| 作者单位： | 北京大学微电子学与固体电子学研究院微米/纳米加工技术国家级重点实验室,北京,100871;北京大学微电子学与固体电子学研究院微米/纳米加工技术国家级重点实验室,北京,100871;北京大学微电子学与固体电子学研究院微米/纳米加工技术国家级重点实验室,北京,100871;北京大学微电子学与固体电子学研究院微米/纳米加工技术国家级重点实验室,北京,100871 |
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| 摘 要： | 针对反应离子深刻蚀中硅/玻璃键合结构的footing效应问题,用实验方法进行了研究.通过2～4和0.01～0.03Ω·cm两种不同电导率的硅结构过刻蚀的对比,以及对50,20和5μm三组不同间隙高度的器件结构过刻蚀的对比,揭示了单晶硅结构的电导率及器件结构和玻璃衬底间隙高度对footing效应的影响.实验结果显示电导率为2～4Ω·cm的硅结构比电导率为0.01～0.03Ω·cm的硅结构footing效应严重;硅结构和玻璃衬底的间隙为5μm的比间隙为20和50μm的footing效应严重, 对这一现象的理论分析认为,被刻蚀的硅的电导率越高, 硅结构与玻璃衬底的间隙越大,footing效应越不明显.本文中不同电导率和不同间隙高度的实验对比结果可以为硅微传感器材料类型的选取和器件的优化设计提供参考.
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| 关 键 词： | footing效应 硅/玻璃键合 反应离子深刻蚀 |
| 修稿时间： | 2008-02-13 |
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