| 德州仪器最新DualCool~(TM) NexFET~(TM)功率MOSFET |
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| 引用本文： | 陈颖莹.德州仪器最新DualCool~(TM) NexFET~(TM)功率MOSFET[J].电子技术应用,2010,36(3). |
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| 作者姓名： | 陈颖莹 |
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| 作者单位： | 电子技术应用网 |
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| 摘 要： | <正>在标准封装尺寸下将散热效率提升80%、允许电流提高50%随着许多标准架构(PCI、AT-CA),电信及服务器机柜的尺寸越来越小,功率密度会越来越大。在相同尺寸下,PCB板上集成的芯片越来越多,从而导致其电流不断增加。所
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| 关 键 词： | 效率提升 封装 允许电流 功率密度 处理器 产品系列 电流驱动 高电流 服务器 标准尺寸 |
TI's newest DualCool~(TM) NexFET~(TM) power MOSFET |
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| CHEN Ying Ying.TI's newest DualCool~(TM) NexFET~(TM) power MOSFET[J].Application of Electronic Technique,2010,36(3). |
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| Authors: | CHEN Ying Ying |
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| Keywords: | |
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