0.15μm GaN HEMT及其应用 |
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作者姓名: | 任春江 陶洪琪 余旭明 李忠辉 王泉慧 王雯 陈堂胜 张斌 |
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作者单位: | 南京电子器件研究所,微波毫米波单片集成电路与模块重点实验室,南京,210016 |
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摘 要: | 报道了毫米波应用的0.15μm场板结构GaN HEMT。器件研制采用了76.2mm(3英寸)SiC衬底上外延生长的AlGaN/GaN异质结构材料,该材料由MOCVD技术生长并引入了掺Fe GaN缓冲层技术以提升器件击穿电压。器件栅脚和集成了场板的栅帽均由电子束光刻实现,并采用栅挖槽技术来控制器件夹断电压。研制的2×75μm栅宽GaN HEMT在24V工作电压、35GHz频率下的负载牵引测试结果显示其输出功率密度达到了4W/mm,对应的功率增益和功率附加效率分别为5dB和35%。采用该0.15μm GaN HEMT技术进行了Ka波段GaN功率MMIC的研制,所研制的功率MMIC在24V工作电压下脉冲工作时(100μs脉宽、10%占空比),29GHz频点处饱和功率达到了10.64W。
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关 键 词: | 铝镓氮/氮化镓 高电子迁移率晶体管 场板 毫米波功率单片 |
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