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非晶态半导体 As_(24)Se_(76)、As_(40)Se_(60)和 As_(50)Se_(50)的光量子效率研究
引用本文:陈玲荣,闵嗣桂,张干城. 非晶态半导体 As_(24)Se_(76)、As_(40)Se_(60)和 As_(50)Se_(50)的光量子效率研究[J]. 无机材料学报, 1986, 0(3)
作者姓名:陈玲荣  闵嗣桂  张干城
作者单位:中国科学院上海硅酸盐研究所(陈玲荣,闵嗣桂),中国科学院上海硅酸盐研究所(张干城)
摘    要:光量子效率是非晶态光电导材料的一个重要参数。本文利用静电放电的方法,探讨和研究了 As—Se 系统非晶态半导体材料的光量子效率与电场和组份的关系,得出的结果与 Onsager 理论描述的相一致。由分析而得到了等剂量组份、富 As 和富 Se 系统光量子效率的变化趋势。

关 键 词:光量子效率  非晶态半导体  As-Se 系统  孪生对复合  非晶态光电导

Studies of Photo-Quantum Efficiency of As_(24)Se_(76),As_(40)Se_(60) and As_(50)Se_(50) Amorphous Semiconductors
Chen Lingrong Min Sigui Zhang Gancheng. Studies of Photo-Quantum Efficiency of As_(24)Se_(76),As_(40)Se_(60) and As_(50)Se_(50) Amorphous Semiconductors[J]. Journal of Inorganic Materials, 1986, 0(3)
Authors:Chen Lingrong Min Sigui Zhang Gancheng
Abstract:
Keywords:Photo-quantum efficiency  Amorphous semiconductor  Arsenic-selenide system  Geminate recombination  Amorphous photoconductivity  
本文献已被 CNKI 等数据库收录!
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