|
|||||
|
|
| InGaAs／InP短时间液相外延层厚度与生长时间的数学拟合 | |
| 引用本文： | 汪开源,曹康敏.InGaAs／InP短时间液相外延层厚度与生长时间的数学拟合[J].半导体杂志,1994,19(3):16-19. |
| 作者姓名： | 汪开源 曹康敏 |
| 作者单位： | 东南大学电子工程系 |
| 摘 要： | 在液相外延（ＬＰＥ）工艺中，采用常规的过冷降温技术，在６４０℃下进行短时间的液相外延ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ的生长实验，用扫描电镜测量不同生长时间下的外延层厚，对实验曲线进行数学拟合，得到ｄ＝０．２＋０．１３２ｔ０．７５７５的短时间生长厚度与时间的表达式．结果表明，短时间ＬＰＥ生长ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ和ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ相类似，有着相同的初始快速生长阶段． |
| 关 键 词： | 液相 数学 半导体 InGaAs／InP LPE |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |