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升温工艺对PTCBaTiO3陶瓷显微结构和电性能的影响
引用本文:姚尧,王依琳.升温工艺对PTCBaTiO3陶瓷显微结构和电性能的影响[J].上海微电子技术和应用,1996(1):17-22.
作者姓名:姚尧  王依琳
摘    要:低于液相呈现温度,用变化升温速率(160-1800℃/小时)的烧结工艺来制备PTCBaTO3陶瓷。测量了PTCBaTiO3试样的室温电阻、R-T曲线I-V曲线及拍摄了试样自然烧结面SEM照片。

关 键 词:低共熔点  升温速率  异常晶粒生长  半导休陶瓷
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