LPCVD制备多晶硅薄膜的性能

对低压化学气相沉积(LPCVD)制备多晶硅薄膜的生长工艺与钝化性能进行研究，重点分析了沉积温度、硅烷体积流量和沉积时间对薄膜生长和钝化性能的影响。在590～635℃沉积温度内，多晶硅薄膜生长速率与沉积温度近似呈线性关系，钝化性能随着沉积温度的增加先变优再变差；在250～1 150 cm³/min硅烷体积流量内，多晶硅薄膜的生长速率与硅烷体积流量基本呈线性关系，当硅烷体积流量为1 150 cm³/min时，钝化性能明显变差；随着多晶硅薄膜厚度增加，钝化性能先变优后稳定。使用优化后的工艺制备多晶硅薄膜样品并对其进行测试，测试结果表明样品的隐性开路电压为749 mV,饱和电流密度为1.46 fA/cm²,钝化性能最佳。