| 硅掺杂辉光放电聚合物薄膜的成分结构分析 |
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| 引用本文： | 唐定平,何智兵,陈志梅,谢征微,李玲,阳志林,闫建成.硅掺杂辉光放电聚合物薄膜的成分结构分析[J].真空科学与技术学报,2010,30(6). |
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| 作者姓名： | 唐定平 何智兵 陈志梅 谢征微 李玲 阳志林 闫建成 |
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| 基金项目： | 国家高技术863资助项目 |
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| 摘 要： | 以H2、反式二丁烯(T2B)和四甲基硅烷(TMS)混合气体为工作气体,在不同TMS流量条件下,用低压等离子体增强化学气相沉积法制备了Si掺杂辉光放电聚合物(GDP)薄膜。采用傅里叶变换红外光谱表征了不同TMS流量下Si掺杂GDP薄膜的化学组成结构。X射线光电子能谱表征了Si掺杂GDP薄膜成分,分析了TMS流量对Si掺杂GDP薄膜化学结构与元素组成的影响。研究表明:薄膜中成功地掺入了Si元素;Si掺杂GDP薄膜中Si元素主要以Si-C,Si-H等键合形式存在;在TMS流量为0.5~2 mL/min(标准状态)的范围内,薄膜中Si的原子浓度为0.72%~1.35%;随着TMS流量的逐渐增加,薄膜中Si含量逐渐增大。
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| 关 键 词： | 低压等离子体增强化学气相沉积 Si掺杂辉光放电聚合物薄膜 X射线光电子能谱 傅里叶变换红外光谱 |
Compositions and Microstructures of Si-Doped Glow Discharge Polymer Films |
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| Tang Dingping,He Zhibing,Chen Zhimei,Xie Zhengwei,Li Ling,Yang Zhilin,Yan Jiancheng.Compositions and Microstructures of Si-Doped Glow Discharge Polymer Films[J].JOurnal of Vacuum Science and Technology,2010,30(6). |
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| Authors: | Tang Dingping He Zhibing Chen Zhimei Xie Zhengwei Li Ling Yang Zhilin Yan Jiancheng |
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