| Si衬底上Ta-N/Cu薄膜性能研究 |
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| 引用本文： | 周健,夏冠群,刘文超,李冰寒,王嘉宽,郝幼申.Si衬底上Ta-N/Cu薄膜性能研究[J].功能材料与器件学报,2002,8(2):187-190. |
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| 作者姓名： | 周健 夏冠群 刘文超 李冰寒 王嘉宽 郝幼申 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,固态元器件实验室,上海200050 |
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| 摘 要： | 对Si衬底上Ta-N/Cu薄膜进行了电学和热学分析，结果发现500℃以下薄膜电随几乎不变，600-690℃下的退火引起的电阻率降低是由于Ta-N电阻的热氧化和Cu熔化扩散引起的，而690℃以上的电阻率增加是由于Cu引线传输能力减弱所致，为0.18μm以下的超大规模集成电路中的Cu引线和电阻薄膜的制作提供了有益的借鉴。
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| 关 键 词： | 退火 热扩散 薄膜电阻 Si衬底 Ta－N／Cu薄膜 |
| 文章编号： | 1007-4252(2002)02-0187-04 |
| 修稿时间： | 2001年7月24日 |
Investigation of the properties of Ta- N/Cu film on Si substrate |
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| ZHOU Jian,XIA Guan -qun,LIU Wen -chao,LI Bin -han,WANG Jia -kuan,HAO You-shen.Investigation of the properties of Ta- N/Cu film on Si substrate[J].Journal of Functional Materials and Devices,2002,8(2):187-190. |
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| Authors: | ZHOU Jian XIA Guan -qun LIU Wen -chao LI Bin -han WANG Jia -kuan HAO You-shen |
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| Abstract: | Electrical and thermal properties of Ta -N /Cu film on the Si substrate we re investigated.Results show that Ta -N resistance almost does not change when annealing t emperature is lower than500 0 C.The decrease of resistance for Ta -N /Cu film annealed from 6000 C to 690 0 C is induced by oxidation of Ta -N and diffusion,whi le the increase of resistance for Ta -N /Cu film annealed at temperature higher than 690 0 C is attributed to the lost of the tran sportation ability of Cu line.The study will benefit the fabrication o f Cu line and resistor film in very large scale integrating circuit(VLSI ). |
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| Keywords: | annealing thermal diffusion film resistor |
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