| Si上Si1-xGex:C 缓冲层的载流子分布 |
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| 引用本文： | 夏冬梅 王荣华 王琦 韩平 梅琴 陈刚 谢自力 修向前 朱顺明 顾书林 施毅 张荣 郑有炓. Si上Si1-xGex:C 缓冲层的载流子分布[J]. 半导体学报, 2007, 28(Z1): 111-114 |
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| 作者姓名： | 夏冬梅 王荣华 王琦 韩平 梅琴 陈刚 谢自力 修向前 朱顺明 顾书林 施毅 张荣 郑有炓 |
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| 作者单位： | 夏冬梅（南京大学物理学系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）;王荣华（南京大学物理学系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）;王琦（南京大学物理学系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）;韩平（南京大学物理学系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）;梅琴（南京大学物理学系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）;陈刚（南京大学物理学系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093;南京电子器件研究所重点实验室,南京,210016）;谢自力（南京大学物理学系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）;修向前（南京大学物理学系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）;朱顺明（南京大学物理学系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）;顾书林（南京大学物理学系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）;施毅（南京大学物理学系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）;张荣（南京大学物理学系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）;郑有炓（南京大学物理学系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093） |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB604900),国家高技术研究发展规划(批准号:2006AA03A103,2006AA03A142),国家自然科学基金(批准号:60421003),高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20050284004)和单片集成电路与模块国家级重点实验室2006年度基金(批准号:9140C1404010605)资助项目 |
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| 摘 要： | ![]()
用化学气相淀积方法在Si(100)衬底上生长了Ge组分渐变的Si1-xGexC合金缓冲层.研究表明,较高温度下生长的Si1-xGexC缓冲层中Ge的平均含量较高,其晶体质量要优于较低温度下生长的外延薄膜.载流子浓度沿衬底至表面方向逐渐上升且Si1-xGexC缓冲层总体呈p型导电,存在一局域n型导电区,本文对其导电分布特性进行了分析研究.
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| 关 键 词： | 化学气相淀积 Si1-xGexC缓冲层 载流子 |
| 文章编号： | 0253-4177(2007)S0-0111-04 |
| 修稿时间： | 2006-11-30 |
Carriers Distribution of Si1-xGex:C Buffers Grown on Si(100) by Chemical Vapor Deposition |
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| Abstract: | ![]()
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