| 直流反应磁控溅射制备非晶掺锌氧化铟沟道层薄膜 |
| |
| 引用本文： | 周俊,李桂锋,卜东生,张群. 直流反应磁控溅射制备非晶掺锌氧化铟沟道层薄膜[J]. 功能材料与器件学报, 2010, 16(5) |
| |
| 作者姓名： | 周俊 李桂锋 卜东生 张群 |
| |
| 作者单位： | 复旦大学,材料科学系,上海,200433;SVA 中央研究院,上海,200233 |
| |
| 摘 要： | ![]()
采用直流反应磁控溅射In/Zn合金靶材在室温下制备了非晶掺锌氧化铟(a-IZO)薄膜,作为沟道层应用于氧化物薄膜晶体管。通过在沉积过程中适当调节氧气压强,制备的a-IZO薄膜的电阻率可具有10-3～106Ω.cm即109倍的变化范围。在氧气压强Po2=5×10-2Pa制备的薄膜,其可见光范围平均透射率大于85%。试制了基于a-IZO薄膜沟道层的顶栅结构的氧化物薄膜晶体管。测试表明该薄膜晶体管工作在n型沟道增强模式,场效应迁移率为4.25 cm2V-1s-1,电流开关比约为103。实验结果预示a-IZO薄膜在TFT-LCD和AMOLED等平板显示领域具有应用前景。
|
| 关 键 词： | 掺锌氧化铟 直流反应磁控溅射 薄膜晶体管 |
Amorphous zinc- doped indium oxide channel layers prepared by DC reactive magnetron sputtering |
| |
| ZHOU Jun,LI Gui-feng,BU Dong-sheng,ZHANG Qun. Amorphous zinc- doped indium oxide channel layers prepared by DC reactive magnetron sputtering[J]. Journal of Functional Materials and Devices, 2010, 16(5) |
| |
| Authors: | ZHOU Jun LI Gui-feng BU Dong-sheng ZHANG Qun |
| |
| Affiliation: | ZHOU Jun1,LI Gui-feng1,BU Dong-sheng2,ZHANG Qun1(1.Department of Materials Science,Fudan University,Shanghai 200433,China,2.Central Research Academy of SVA Group Co.,Ltd,Shanghai 200233,China) |
| |
| Abstract: | ![]()
|
| |
| Keywords: | zinc-doped indium oxide DC reactive magnetron sputtering TFTs |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
|
