| 污秽绝缘子表面干区形成的影响因素 |
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| 引用本文： | 梁飞,MacAlpine Mark,关志成,张若兵. 污秽绝缘子表面干区形成的影响因素[J]. 高电压技术, 2012, 38(10): 2604-2610 |
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| 作者姓名： | 梁飞 MacAlpine Mark 关志成 张若兵 |
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| 作者单位： | 1.清华大学深圳研究生院,深圳,518055;2.清华大学深圳研究生院,深圳,518055;3.清华大学深圳研究生院,深圳,518055;4.清华大学深圳研究生院,深圳,518055 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 干区的形成是绝缘子污闪发生的一个必要条件,干区的形成受电压、污秽种类和含量、天气等诸多因素的影响,研究干区形成的影响因素问题,不仅有助于更加深刻地认识干区的形成,而且可以完善外绝缘污闪理论。为此,以矩形污秽玻璃片模拟实际绝缘子,在人工雾室中试验研究了污秽和雾对干区形成的影响。试验结果表明：随着等值附盐密度（ESDD）的增加,干区的形成时间逐渐缩短,干区宽度逐渐减小;随着等值附灰密度（NSDD）的增加,干区的形成时间逐渐变长,干区宽度逐渐增大;随着雾浓度的增大,干区的形成时间不变,干区宽度逐渐减小。此外,基于热量平衡理论对这些影响趋势给出了解释。研究结果表明ESDD、NSDD和雾浓度对于干区的形成是有影响的。
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| 关 键 词： | 污闪 干区 等值附盐密度(ESDD) 等值附灰密度(NSDD) 平板模型 人工污秽试验 |
Factors Affecting Dry-band Formation on the Surface of Polluted Insulator |
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| LIANG Fei,MacAlpine Mark,GUAN Zhicheng,ZHANG Ruobing. Factors Affecting Dry-band Formation on the Surface of Polluted Insulator[J]. High Voltage Engineering, 2012, 38(10): 2604-2610 |
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| Authors: | LIANG Fei MacAlpine Mark GUAN Zhicheng ZHANG Ruobing |
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| Affiliation: | (Graduate School at Shenzhen,Tsinghua University,Shenzhen 518055,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | pollution flashover dry-band equivalent salt deposit density(ESDD) non-soluble deposit density(NSDD) flat plate model artificial pollution test |
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