InGaP/GaAs HBT X波段混合集成功率合成放大器的研制 |
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作者姓名: | 陈延湖 申华军 王显泰 陈高鹏 刘新宇 袁东风 王祖强 |
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作者单位: | 山东大学信息科学与工程学院,济南 250100;中国科学院微电子研究所,北京 100029;中国科学院微电子研究所,北京 100029;中国科学院微电子研究所,北京 100029;中国科学院微电子研究所,北京 100029;山东大学信息科学与工程学院,济南 250100;山东大学信息科学与工程学院,济南 250100 |
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摘 要: | 研制了面向X波段应用的InGaP/GaAs HBT混合集成功率合成放大器模块. 电路采用一种新颖的具有片上RC稳定网络的InGaP/GaAs HBT功率管作为功率合成单元以提高电路的稳定性,并采用紧凑的微带线并联匹配网络进行功率分配和合成. 在8.1GHz,偏置为Vcc=7V, Ic=230mA的AB类工作条件下,连续波最大输出功率为28.9dBm,功率合成效率达到80%.
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关 键 词: | InGaP/GaAs HBT 功率合成 混合集成电路 功率放大器 |
修稿时间: | 2008-07-22 |
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