低能Ar^+轰击对GaAs,AlxGa1—xAs表面成分的影响 |
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引用本文: | 范垂祯,杨得全.低能Ar^+轰击对GaAs,AlxGa1—xAs表面成分的影响[J].微细加工技术,1990(4):23-27. |
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作者姓名: | 范垂祯 杨得全 |
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作者单位: | 航空航天部兰州物理研究所
(范垂祯,杨得全,张韶红),航空航天部兰州物理研究所(汪贵华) |
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摘 要: | 低能离子溅射半导体表面会引起表面结构和成分的变化,导致器件电学性能变差。本文用俄歇电子谱研究了轰击离子能量和束流密度对GaAs、Al_xGa_(1-x)As表面成分的影响。实验分析表明,离子轰击导致GaAs表面As元素严重贫乏和Al_xGa_(1-x)As表面Al元素强烈偏析和Ga元素的轻微减小。我他对离子轰击后GaAs Al_xGa_(1-x)As的表面成分分析结果与文献值不同。实验结果同时说明,GaAs与Al_xGa_(1-x)As中离子溅射行为有较大的差别,我们对此进行了初步讨论,并将实验结果与理论模型进行了比较,发现实验与理论之间不能很好一致。
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关 键 词: | Ar^+轰击 半导体材料 GaAs 表面处? |
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