| 0.15μm Y型栅高In沟道GaAs PHEMT低噪声器件设计 |
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| 引用本文： | 韩克锋,黄念宁,吴少兵,秦桂霞.0.15μm Y型栅高In沟道GaAs PHEMT低噪声器件设计[J].固体电子学研究与进展,2015(3):236-240. |
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| 作者姓名： | 韩克锋 黄念宁 吴少兵 秦桂霞 |
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| 作者单位： | 南京电子器件研究所 |
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| 摘 要： | 设计了一种GaAs PHEMT低噪声器件。通过电子束直写手段实现了0.15μm Y型栅,对栅型优化以减小器件栅电阻和栅寄生电容。采用高In含量的沟道设计以改善沟道电子输运特性,采用InGaAs/GaAs复合帽层以改善欧姆接触特性,并通过低噪声工艺流程制作了4×50μm GaAs PHEMT器件。测试结果表明,器件fT达到80GHz,在10GHz处最小噪声系数小于0.4dB,相关增益大于10dB。对于0.15μm栅长GaAs PHEMT器件来说,这是很好的结果。
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| 关 键 词： | 砷化镓赝高电子迁移率晶体管 高铟沟道 Y型栅 复合帽层 噪声系数 |
0.15μm Y-gate Low Noise GaAs PHEMT with High In-content Channel |
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| HAN Kefeng;HUANG Nianning;WU Shaobing;QIN Guixia.0.15μm Y-gate Low Noise GaAs PHEMT with High In-content Channel[J].Research & Progress of Solid State Electronics,2015(3):236-240. |
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| Authors: | HAN Kefeng;HUANG Nianning;WU Shaobing;QIN Guixia |
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| Affiliation: | HAN Kefeng;HUANG Nianning;WU Shaobing;QIN Guixia;Nanjing Electronic Devices Institute; |
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