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| 两次MOVPE生长的大功率InGaAs－GaAs－InGaP掩埋异质结应变量子阱激光器 | |
| 摘 要： | 本文给出了带有Ｉｎ０．４９Ｇａ０．５１ｉ包层的ＩｎＧａＡｓ－ＧａＡｓ应变量子阱激光器实验结果。镀有ＡＲ－ＨＲ膜、并有ｐ－ｎＩｎＧａＰ电流阻挡结的掩埋异质结激光器，在连续波（ＣＷ）和室温（ＲＴ）下，给出３．１ｍＡ的低阈值电流和９５ｍＷ的高功率输出。这是首次以两次ＭＯＶＰＥ方法生长制作的ＩｎＧａＡｓ－ＧａＡｓ－ＩｎＧａＰ掩埋异质结激光器。 |
High Power InGaAs-GaAs-InGaP Buried Heterostructure Strained Quantum Well Lasers Grown by Two Step MOVPE |
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| Abstract: | Abstract |
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