| 熔融硅液相浸渍法制备C/C-SiC复合材料 |
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| 引用本文： | 王道岭,汤素芳,邓景屹,刘文川. 熔融硅液相浸渍法制备C/C-SiC复合材料[J]. 材料研究学报, 2007, 21(2): 135-139 |
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| 作者姓名： | 王道岭 汤素芳 邓景屹 刘文川 |
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| 作者单位： | 中国科学院金属研究所,沈阳,110016 |
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| 摘 要： | ![]()
采用熔融硅液相浸渍法制备了C/C-SiC复合材料,反应生成的SiC主要分布在层间孔和束间孔碳基体表面,少量分布在束内孔.1600℃渗硅2 h,硅化深度约为2～4 μm.由于液态硅与碳之间的润湿性很好,在碳基体表面形成了连续的SiC层,局部有粗大的多面碳化硅颗粒生成;讨论了细晶粒连续SiC层和SiC粗晶粒形成机理.由于SiC的加入,材料的抗氧化性能得到明显改善.
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| 关 键 词： | 复合材料 熔融硅 液相浸渍 C/C-SiC复合材料 抗氧化 熔融硅 液相浸渍 法制 复合材料 Preparation method infiltration silicon molten 改善 氧化性能 形成机理 粗晶粒 细晶粒 颗粒生成 碳化硅 多面 局部 连续 面形 |
| 文章编号： | 1005-3093(2007)02-0135-05 |
| 修稿时间： | 2006-06-19 |
Preparation of C/C-SiC composites by molten silicon infiltration method |
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| WANG Daoling,TANG Sufang,DENG Jingyi,LIU Wenchuan. Preparation of C/C-SiC composites by molten silicon infiltration method[J]. Chinese Journal of Materials Research, 2007, 21(2): 135-139 |
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| Authors: | WANG Daoling TANG Sufang DENG Jingyi LIU Wenchuan |
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| Affiliation: | Institute of Metal Research, Chinese Academy of Sciences, Shenyang 110016 |
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| Abstract: | ![]()
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| Keywords: | composite molten silicon liquid infiltration C/C-SiC composites oxidation resistance |
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